Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
1N2135AR	DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5	Penyelidikan
GP2M005A060PG	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Penyelidikan
S6GR	DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4	Penyelidikan
1N8034-GA	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257	Penyelidikan
GP2M005A060CG	MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK	Penyelidikan
GSXF120A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227	Penyelidikan
S12MR	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Penyelidikan
S16M	DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA	Penyelidikan
FST160100	DIODE MODULE 100V 160A TO249AB	Penyelidikan
GP2D060A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
GHIS040A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227	Penyelidikan
GP2M005A060FG	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F	Penyelidikan
GSXD160A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227	Penyelidikan
GP1M010A080FH	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F	Penyelidikan
GP1M003A050PG	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	Penyelidikan
GHXS010A060S-D3	DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227	Penyelidikan
GP2D030A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2	Penyelidikan
GSXD060A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227	Penyelidikan
FR16DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M006A065PH	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK	Penyelidikan
GSXD120A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227	Penyelidikan
GP2M002A065PG	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	Penyelidikan
FR6B02	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	Penyelidikan
MUR2560R	DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4	Penyelidikan
GKR26/14	DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4	Penyelidikan
GP2D036A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2	Penyelidikan
GP3D050A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2	Penyelidikan
GP1M010A080H	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220	Penyelidikan
GHIS030A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
S40D	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	Penyelidikan
GP2M009A090FG	MOSFET N-CH 900V 9A TO220F	Penyelidikan
1N8033-GA	DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276	Penyelidikan
FR12KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M004A065HG	MOSFET N-CH 650V 4A TO220	Penyelidikan
GCMS040A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
GSXF030A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227	Penyelidikan
1N2133AR	DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5	Penyelidikan
GHIS040A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227	Penyelidikan
GSXD100A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227	Penyelidikan
GHIS050A060B3P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GP1M016A060N	MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN	Penyelidikan
FR20AR02	DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5	Penyelidikan
FR20M05	DIODE GEN PURP 1KV 20A DO5	Penyelidikan
S12Q	DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D020A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
FR6AR05	DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4	Penyelidikan
1N1183	DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB	Penyelidikan
GSXD100A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227	Penyelidikan
FR6J02	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
GHIS060A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:4/13Sebelumnya 1 2 345 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir