Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GHXS010A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227	Penyelidikan
FR16J02	DIODE GEN PURP 600V 16A DO4	Penyelidikan
FR16G02	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Penyelidikan
GP2D024A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
FR6JR05	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Penyelidikan
GP2M004A065FG	MOSFET N-CH 650V 4A TO220F	Penyelidikan
1N3671AR	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
FR6BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Penyelidikan
1N3211R	DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5	Penyelidikan
FR6M05	DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4	Penyelidikan
GP1M015A050H	MOSFET N-CH 500V 14A TO220	Penyelidikan
GHIS080A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227	Penyelidikan
GSXD120A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227	Penyelidikan
GDP48Y060B	DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3	Penyelidikan
FR12J02	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
1N3208	DIODE GEN PURP 50V 15A DO5	Penyelidikan
FR16DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
S25M	DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA	Penyelidikan
GSID300A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 430A	Penyelidikan
MUR2505R	DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4	Penyelidikan
1N1184A	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
GP2M012A060F	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Penyelidikan
FR6KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4	Penyelidikan
FR6BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4	Penyelidikan
1N3880R	DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4	Penyelidikan
1N1202AR	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5	Penyelidikan
S25JR	DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA	Penyelidikan
1N3209	DIODE GEN PURP 100V 15A DO5	Penyelidikan
GP2D010A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252	Penyelidikan
GP1M009A090N	MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN	Penyelidikan
S70B	DIODE GEN PURP 100V 70A DO5	Penyelidikan
FR16M05	DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4	Penyelidikan
GP2M005A050FG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Penyelidikan
S12KR	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
GSID600A120S4B1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
1N3766R	DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5	Penyelidikan
GP2M002A060PG	MOSFET N-CH 600V 2A	Penyelidikan
S16G	DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA	Penyelidikan
GP2D020A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2	Penyelidikan
GSXD080A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227	Penyelidikan
GP1M010A060FH	MOSFET N-CH 600V 10A TO220F	Penyelidikan
GP2D005A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2	Penyelidikan
FR16KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4	Penyelidikan
S6B	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	Penyelidikan
GHIS060A120S-A1	IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
MUR2560	DIODE GEN PURP 600V 25A DO4	Penyelidikan
GSXF120A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
GP2D005A120C	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2	Penyelidikan
GP1M009A060FH	MOSFET N-CH 600V 9A TO220F	Penyelidikan
1N3765R	DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:1/13Sebelumnya12 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir