Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GP3D050A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2	Penyelidikan
S16J	DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
FR20B02	DIODE GEN PURP 100V 20A DO5	Penyelidikan
GCMS008A120B1B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
GP1M009A090H	MOSFET N-CH 900V 9A TO220	Penyelidikan
GSXF030A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
GP2M008A060PG	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	Penyelidikan
1N1202A	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Penyelidikan
GHIS030A060B1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
MBRT20030	DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER	Penyelidikan
GP2M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Penyelidikan
GSID100A120T2P2	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GPA042A100L-ND	IGBT 1000V 60A 463W TO264	Penyelidikan
S6JR	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Penyelidikan
GP2M005A050HG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Penyelidikan
1N3890R	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Penyelidikan
GSXD060A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227	Penyelidikan
FR20KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M009A020FG	MOSFET N-CH 200V 9A TO220F	Penyelidikan
1N2137A	DIODE GEN PURP 500V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M012A060FH	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Penyelidikan
GP2M004A060FG	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	Penyelidikan
GB05SLT12-252	DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252	Penyelidikan
GP3D060A120B	DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247	Penyelidikan
MUR2520R	DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4	Penyelidikan
GKN26/14	DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4	Penyelidikan
GSID150A120T2C1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
FR30MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5	Penyelidikan
GP1M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Penyelidikan
1N3212	DIODE GEN PURP 400V 15A DO5	Penyelidikan
GP1M020A060M	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P	Penyelidikan
GDP60D120B	DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3	Penyelidikan
GP1M009A050HS	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220	Penyelidikan
GHXS015A120S-D1	MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227	Penyelidikan
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GP1M020A050N	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN	Penyelidikan
GP1M003A040PG	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	Penyelidikan
GCMS080A120B3C1	SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY	Penyelidikan
1N3212R	DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5	Penyelidikan
GSXD080A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227	Penyelidikan
S25MR	DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA	Penyelidikan
1N2138A	DIODE GEN PURP 600V 60A DO5	Penyelidikan
GHXS020A060S-D4	DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227	Penyelidikan
GHXS030A120S-D4	DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
S40M	DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5	Penyelidikan
1N1186R	DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5	Penyelidikan
MBRT200150	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER	Penyelidikan
GHXS020A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227	Penyelidikan
FST12060	DIODE MODULE 60V 120A TO249AB	Penyelidikan
GHXS020A060S-D3	DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:5/13Sebelumnya 1 2 3 456 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir