SI3443BDV-T1-E3現在可以使用！LYNTEAM技術是SI3443BDV-T1-E3的庫存分配器，我們擁有立即運輸的庫存，也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的SI3443BDV-T1-E3購買計劃，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買SI3443BDV-T1-E3，省錢和時間。
我們的電子郵件：[email protected]
SI3443BDV-T1-E3
- 型號:
- SI3443BDV-T1-E3
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
- 無鉛狀態:
- 無鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 28372 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 6-TSOP |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 1.1W (Ta) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名稱: | SI3443BDV-T1-E3CT |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 33 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 9nC @ 4.5V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 2.5V, 4.5V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 20V |
| 詳細說明: | P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 3.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
SI3443BDV-T1-E3的相似型號
最新資訊
- 传三星与SK海力士停供DDR3，推升报价直涨两成
- Melexis全新发布MLX90427：线控转向新选择，安全、高效又经济
- 恩智浦与安森美财报公布、铜价上涨传导至IC行业
- 摩尔斯微电子在中国台湾设立新办事处，拓展业务版图
- 德州仪器业绩仍待提振、两存储大厂推新闪存产品
- 意法半导体（ST）首季财报降低，汽车需求放缓
- 德州仪器业绩仍待提振、两存储大厂推新闪存产品
- 本土成熟制程芯片放量、三星NAND闪存产能近满载
- Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED
- 安森美推出适用于工业和交通市场的电感式位置传感器
- 瑞萨启动旧厂增产功率器件、地震影响DRAM产出轻微
- Microchip启用台积电熊本厂产能、美光产品传涨价