RN4981FE,LF(CB
RN4981FE,LF(CB
型號:
RN4981FE,LF(CB
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
40747 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
RN4981FE,LF(CB.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:ES6
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):4.7 kOhms
電阻器 - 基座(R1):4.7 kOhms
功率 - 最大:100mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-563, SOT-666
其他名稱:RN4981FE(TE85L,F)
RN4981FE(TE85LF)TR
RN4981FE(TE85LF)TR-ND
RN4981FE,LF(CT
RN4981FELF(CBTR
RN4981FELF(CTTR
RN4981FELF(CTTR-ND
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:250MHz, 200MHz
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:30 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

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