NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G
型號:
NSBA114EDXV6T1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
25804 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
NSBA114EDXV6T1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:250mV @ 300µA, 10mA
晶體管類型:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:SOT-563
系列:-
電阻器 - 發射器底座(R2):10 kOhms
電阻器 - 基座(R1):10 kOhms
功率 - 最大:500mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-563, SOT-666
其他名稱:NSBA114EDXV6T1G-ND
NSBA114EDXV6T1GOSTR
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:2 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
頻率 - 轉換:-
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:35 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止(最大):500nA
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
基礎部件號:NSBA1*
Email:[email protected]

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