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NSBA114EDXV6T1G
- Número de pieza:
- NSBA114EDXV6T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25804 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NSBA114EDXV6T1G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo de transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | NSBA114EDXV6T1G-ND NSBA114EDXV6T1GOSTR |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número de pieza base: | NSBA1* |
| Email: | [email protected] |
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