FDP4D5N10C
型號:
FDP4D5N10C
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
FET ENGR DEV-NOT REL
庫存數量:
34385 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FDP4D5N10C.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 310µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220-3
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4.5 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):2.4W (Ta), 150W (Tc)
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
製造商標準交貨期:32 Weeks
無鉛狀態:Lead free
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:5065pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:68nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25°C連續排水(Id):128A (Tc)
Email:[email protected]

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