FDP2D3N10C
型號:
FDP2D3N10C
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
庫存數量:
59387 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FDP2D3N10C.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 700µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220-3
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.3 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):214W (Tc)
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
製造商標準交貨期:22 Weeks
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:11180pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:152nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25°C連續排水(Id):222A (Tc)
Email:[email protected]

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