CSD13306WT
型號:
CSD13306WT
製造商:
TI
描述:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
51972 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
CSD13306WT.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:1.3V @ 250µA
Vgs(最大):±10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-DSBGA (1x1.5)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
功率耗散(最大):1.9W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-UFBGA, DSBGA
其他名稱:296-41134-2
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:35 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1370pF @ 6V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:11.2nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):12V
詳細說明:N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
電流 - 25°C連續排水(Id):3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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