CSD13306WT
Modelo do Produto:
CSD13306WT
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
51972 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD13306WT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-DSBGA (1x1.5)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.9W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UFBGA, DSBGA
Outros nomes:296-41134-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11.2nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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