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APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G
型號:
APT50GP60B2DQ2G
製造商:
Microsemi
描述:
IGBT 600V 150A 625W TMAX
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
57606 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
APT50GP60B2DQ2G.pdf
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簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.7V @ 15V, 50A
測試條件:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:19ns/85ns
開關能量:465µJ (on), 635µJ (off)
系列:POWER MOS 7®
功率 - 最大:625W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3 Variant
其他名稱:APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:PT
柵極電荷:165nC
詳細說明:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
電流 - 集電極脈衝（ICM）:190A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:150A
Email:[email protected]

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