APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G
Número de pieza:
APT50GP60B2DQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 600V 150A 625W TMAX
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
57606 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
APT50GP60B2DQ2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Tensión - Colector-emisor (máx):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 50A
Condición de prueba:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:19ns/85ns
Cambio de Energía:465µJ (on), 635µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potencia - Max:625W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Otros nombres:APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
puerta de carga:165nC
Descripción detallada:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
Corriente - Colector Pulsada (ICM):190A
Corriente - colector (Ic) (Max):150A
Email:[email protected]

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