TSM180N03PQ33 RGG şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, TSM180N03PQ33 RGG için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize TSM180N03PQ33 RGG için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
TSM180N03PQ33 RGG LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
TSM180N03PQ33 RGG
- Parça Numarası:
- TSM180N03PQ33 RGG
- Üretici firma:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 50487 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- TSM180N03PQ33 RGG.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-PDFN (3x3) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 18 mOhm @ 12A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 21W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerWDFN |
| Diğer isimler: | TSM180N03PQ33 RGGTR TSM180N03PQ33 RGGTR-ND TSM180N03PQ33RGGTR |
| Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 345pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4.1nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
TSM180N03PQ33 RGG için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı