TSM1N45CT A3G şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, TSM1N45CT A3G için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize TSM1N45CT A3G için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
TSM1N45CT A3G LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
TSM1N45CT A3G
- Parça Numarası:
- TSM1N45CT A3G
- Üretici firma:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 37678 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- TSM1N45CT A3G.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.25V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-92 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Box (TB) |
| Paket / Kutu: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Diğer isimler: | TSM1N45CT A3GTB TSM1N45CT A3GTB-ND TSM1N45CTA3GTB |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 235pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6.5nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 450V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 450V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 500mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
TSM1N45CT A3G için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı