TSM160N10CZ C0G şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, TSM160N10CZ C0G için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize TSM160N10CZ C0G için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
TSM160N10CZ C0G LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
TSM160N10CZ C0G
- Parça Numarası:
- TSM160N10CZ C0G
- Üretici firma:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 53290 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- TSM160N10CZ C0G.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-220 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 300W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | TSM160N10CZ C0G-ND TSM160N10CZC0G |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9840pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 154nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 100V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
TSM160N10CZ C0G için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı