TSM160N10CZ C0G je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za TSM160N10CZ C0G, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za TSM160N10CZ C0G putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi TSM160N10CZ C0G s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
TSM160N10CZ C0G
- Dio brojeva:
- TSM160N10CZ C0G
- Proizvođač:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Opis:
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 53290 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- TSM160N10CZ C0G.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Vgs (th) (maks.) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tehnologija: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket uređaja za dobavljače: | TO-220 |
| Niz: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Rasipanje snage (maks.): | 300W (Tc) |
| Ambalaža: | Tube |
| Paket / slučaj: | TO-220-3 |
| Druga imena: | TSM160N10CZ C0G-ND TSM160N10CZC0G |
| Radna temperatura: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vrsta montaže: | Through Hole |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Proizvođač Standardno vrijeme dovršetka: | 24 Weeks |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds: | 9840pF @ 30V |
| Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs: | 154nC @ 10V |
| Vrsta FET-a: | N-Channel |
| FET značajka: | - |
| Pogonski napon (maks. Uključeno, min. Uključeno): | 10V |
| Ispustite izvor napona (Vdss): | 100V |
| Detaljan opis: | N-Channel 100V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tekuća - Kontinuirano pražnjenje (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za TSM160N10CZ C0G
Najnovije vijesti
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih
- Najavljeno je financijsko izvješće NXP i Ansonmei, a cijena cijene bakra prenosi se IC industriji
- Moels Micro Electronics postavio je nove urede u Tajvanu u Kini kako bi proširio poslovni teritorij
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Financijsko izvješće u prvom tromjesečju smanjuje se SEF Semiconductor (ST), a potražnja za automobilima je usporila
- Izvedba Texas Instruments još uvijek treba pojačati, a dvije tvornice za pohranu guraju nove flash memorijske proizvode
- Lokalni volumen zrelog čipa, Samsung NAND Flash memorija Proizvodnja kapaciteta u blizini opterećenja