SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
Parça Numarası:
SI8425DB-T1-E1
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
38158 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SI8425DB-T1-E1.pdf

Giriş

SI8425DB-T1-E1 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI8425DB-T1-E1 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI8425DB-T1-E1 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI8425DB-T1-E1 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):900mV @ 250µA
Vgs (Maks.):±10V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:4-WLCSP (1.6x1.6)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):23 mOhm @ 2A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:4-UFBGA, WLCSP
Diğer isimler:SI8425DB-T1-E1TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:110nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.8V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Detaylı Açıklama:P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):-
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar