SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
Cikkszám:
SI8425DB-T1-E1
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Ólommentes állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készlet mennyiség:
38158 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
SI8425DB-T1-E1.pdf

Bevezetés

Az SI8425DB-T1-E1 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az SI8425DB-T1-E1 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetSI8425DB-T1-E1e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon SI8425DB-T1-E1 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:4-WLCSP (1.6x1.6)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 2A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:4-UFBGA, WLCSP
Más nevek:SI8425DB-T1-E1TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Részletes leírás:P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások