SI8425DB-T1-E1
SI8425DB-T1-E1
Αριθμός εξαρτήματος:
SI8425DB-T1-E1
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
38158 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SI8425DB-T1-E1.pdf

Εισαγωγή

Το SI8425DB-T1-E1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SI8425DB-T1-E1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SI8425DB-T1-E1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SI8425DB-T1-E1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:4-WLCSP (1.6x1.6)
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 2A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:4-UFBGA, WLCSP
Αλλα ονόματα:SI8425DB-T1-E1TR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:110nC @ 10V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις