IRLHM630TR2PBF şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, IRLHM630TR2PBF için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize IRLHM630TR2PBF için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
IRLHM630TR2PBF LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
IRLHM630TR2PBF
- Parça Numarası:
- IRLHM630TR2PBF
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 20307 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- IRLHM630TR2PBF.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.1V @ 50µA |
| Vgs (Maks.): | ±12V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PQFN (3x3) |
| Dizi: | HEXFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | IRLHM630TR2PBFCT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IRLHM630TR2PBF için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı
- Büyük çip fabrikası depremden etkilendi: TSMC acilen çalışmayı bıraktı, GPU arzını kısa sürede şiddetlendirdi mi?
- NAND Flash Bellek devam ediyor, MCU Destacturing Dip Doğru