IRLHM630TR2PBF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IRLHM630TR2PBF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IRLHM630TR2PBF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IRLHM630TR2PBF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IRLHM630TR2PBF
- Modelo do Produto:
- IRLHM630TR2PBF
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 20307 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IRLHM630TR2PBF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 50µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PQFN (3x3) |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | IRLHM630TR2PBFCT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IRLHM630TR2PBF
Latest Notícias
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo
- O X-FAB apresenta a tecnologia de iluminação do sensor de imagem para aprimorar o desempenho do sensor CMOS
- A grande fábrica de chips foi afetada pelo terremoto: o TSMC parou de funcionar com urgência, exacerbando o suprimento de GPU em falta?
- Nand Flash Memory continua, McU Destocking Bottom está certo
- Sob a saída da IA Air, os dois principais gigantes do Chip são "não fortes": esmagar o dinheiro para quebrar o jogo, apostar em 2025 batalhas de equipe