IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF
Modelo do Produto:
IRLHS6342TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32205 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRLHS6342TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 10µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-PQFN (2x2)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-PowerVDFN
Outros nomes:IRLHS6342TR2PBFCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1019pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.7A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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