IRLHM630TR2PBF ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für IRLHM630TR2PBF, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRLHM630TR2PBF per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie IRLHM630TR2PBF mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
IRLHM630TR2PBF
- Artikelnummer:
- IRLHM630TR2PBF
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 20307 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IRLHM630TR2PBF.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 50µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | IRLHM630TR2PBFCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IRLHM630TR2PBF
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor
- Unter dem AI -Luftverkehr sind die beiden großen Chipgiganten "nicht stark": Das Geld, um das Spiel zu brechen, wette auf 2025 Teamschlachten