AS4C256M16D3B-12BIN şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, AS4C256M16D3B-12BIN için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize AS4C256M16D3B-12BIN için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
AS4C256M16D3B-12BIN LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
AS4C256M16D3B-12BIN
- Parça Numarası:
- AS4C256M16D3B-12BIN
- Üretici firma:
- Alliance Memory, Inc.
- Açıklama:
- IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 46640 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- AS4C256M16D3B-12BIN.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Yaz Döngüsü Zamanı - Word, Sayfa: | 15ns |
| Gerilim - Tedarik: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| teknoloji: | SDRAM - DDR3 |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 96-FBGA (13.5x9) |
| Dizi: | - |
| paketleme: | Tray |
| Paket / Kutu: | 96-TFBGA |
| Diğer isimler: | 1450-1445 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| bellek Türü: | Volatile |
| Hafıza boyutu: | 4Gb (256M x 16) |
| Bellek Arabirimi: | Parallel |
| Bellek Biçimi: | DRAM |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaylı Açıklama: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13.5x9) |
| Saat Frekansı: | 800MHz |
| Erişim süresi: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
AS4C256M16D3B-12BIN için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı