AS4C256M16D3B-12BINは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはAS4C256M16D3B-12BINのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
AS4C256M16D3B-12BINをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
AS4C256M16D3B-12BIN
- 部品型番:
- AS4C256M16D3B-12BIN
- 説明:
- IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 46640 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- AS4C256M16D3B-12BIN.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
| 電源電圧 - : | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 技術: | SDRAM - DDR3 |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 96-FBGA (13.5x9) |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tray |
| パッケージ/ケース: | 96-TFBGA |
| 他の名前: | 1450-1445 |
| 運転温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メモリタイプ: | Volatile |
| 記憶容量: | 4Gb (256M x 16) |
| メモリインタフェース: | Parallel |
| メモリ形式: | DRAM |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13.5x9) |
| クロック周波数: | 800MHz |
| アクセス時間: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのAS4C256M16D3B-12BIN
最新ニュース
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します
- X-FABは、CMOSセンサーのパフォーマンスを向上させるためにイメージセンサーバックイルミネーションテクノロジーを導入します
- 大規模なチップ工場は地震の影響を受けました。TSMCは緊急に動作を停止し、GPUの供給が不足していますか？