AS4C256M16D3B-12BIN está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para AS4C256M16D3B-12BIN, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para AS4C256M16D3B-12BIN por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre AS4C256M16D3B-12BIN con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
AS4C256M16D3B-12BIN
- Número de pieza:
- AS4C256M16D3B-12BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory, Inc.
- Descripción:
- IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 46640 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- AS4C256M16D3B-12BIN.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR3 |
| Paquete del dispositivo: | 96-FBGA (13.5x9) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 96-TFBGA |
| Otros nombres: | 1450-1445 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (256M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13.5x9) |
| Frecuencia de reloj: | 800MHz |
| Tiempo de acceso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de AS4C256M16D3B-12BIN
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo