ULN2003AFWG,O,N,E พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ULN2003AFWG,O,N,E เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ULN2003AFWG,O,N,E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ULN2003AFWG,O,N,E ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ULN2003AFWG,O,N,E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ULN2003AFWG,O,N,E
- ลักษณะ:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 40916 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ULN2003AFWG,O,N,E.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 7 NPN Darlington |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOL |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1.25W |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | ULN2003AFWG(OELMDKR ULN2003AFWG(OELMDKR-ND ULN2003AFWG(ONEHZADKR ULN2003AFWG(ONEHZADKR-ND ULN2003AFWG,NEDKR-ND ULN2003AFWG5ELMDKR ULN2003AFWG5ELMDKR-ND ULN2003AFWGONEDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 1000 @ 350mA, 2V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 50µA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 500mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ULN200*A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ULN2003AFWG,O,N,E
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025