ULN2003AFWG,O,N,E
Número de pieza:
ULN2003AFWG,O,N,E
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
40916 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
ULN2003AFWG,O,N,E.pdf

Introducción

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Especificaciones

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Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor:7 NPN Darlington
Paquete del dispositivo:16-SOL
Serie:-
Potencia - Max:1.25W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:ULN2003AFWG(OELMDKR
ULN2003AFWG(OELMDKR-ND
ULN2003AFWG(ONEHZADKR
ULN2003AFWG(ONEHZADKR-ND
ULN2003AFWG,NEDKR-ND
ULN2003AFWG5ELMDKR
ULN2003AFWG5ELMDKR-ND
ULN2003AFWGONEDKR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:-
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):50µA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Número de pieza base:ULN200*A
Email:[email protected]

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