ULN2003AFWG,O,N,E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ULN2003AFWG,O,N,E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ULN2003AFWG,O,N,E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ULN2003AFWG,O,N,E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ULN2003AFWG,O,N,E
- Part Number:
- ULN2003AFWG,O,N,E
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40916 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ULN2003AFWG,O,N,E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Typ tranzystora: | 7 NPN Darlington |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOL |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1.25W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | ULN2003AFWG(OELMDKR ULN2003AFWG(OELMDKR-ND ULN2003AFWG(ONEHZADKR ULN2003AFWG(ONEHZADKR-ND ULN2003AFWG,NEDKR-ND ULN2003AFWG5ELMDKR ULN2003AFWG5ELMDKR-ND ULN2003AFWGONEDKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 50µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Podstawowy numer części: | ULN200*A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ULN2003AFWG,O,N,E
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025