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ULN2003AFWG,O,N,E
- Modèle de produit:
- ULN2003AFWG,O,N,E
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 40916 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- ULN2003AFWG,O,N,E.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Transistor Type: | 7 NPN Darlington |
| Package composant fournisseur: | 16-SOL |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.25W |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | ULN2003AFWG(OELMDKR ULN2003AFWG(OELMDKR-ND ULN2003AFWG(ONEHZADKR ULN2003AFWG(ONEHZADKR-ND ULN2003AFWG,NEDKR-ND ULN2003AFWG5ELMDKR ULN2003AFWG5ELMDKR-ND ULN2003AFWGONEDKR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Numéro de pièce de base: | ULN200*A |
| Email: | [email protected] |
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