JAN2N697 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JAN2N697 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JAN2N697 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JAN2N697 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
JAN2N697
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- JAN2N697
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- TRANS NPN 40V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47661 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- JAN2N697.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 40V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-5 |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/99 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 600mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| ชื่ออื่น: | 1086-16215 1086-16215-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mW Through Hole TO-5 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 40 @ 150mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 10µA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JAN2N697
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | การสอบสวน |
|
JAN2N6990 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN | การสอบสวน |
|
JAN2N6988 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A | การสอบสวน |
|
JAN2N6849U | Microsemi | MOSFET P-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N7224U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | การสอบสวน |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | การสอบสวน |
|
JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | การสอบสวน |
|
JAN2N706 | Microsemi | TRANS NPN 15V 10MA | การสอบสวน |
|
JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | การสอบสวน |
|
JAN2N7224 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | การสอบสวน |
|
JAN2N6798U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N720A | Microsemi | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | การสอบสวน |
|
JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | การสอบสวน |
|
JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6987 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 | การสอบสวน |
|
JAN2N6989 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | การสอบสวน |
|
JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด