JAN2N697 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N697، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N697 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N697 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N697
- رقم القطعة:
- JAN2N697
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN 40V
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 47661 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N697.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 40V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-5 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/99 |
| السلطة - ماكس: | 600mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| اسماء اخرى: | 1086-16215 1086-16215-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mW Through Hole TO-5 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 150mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 10µA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N697
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | تحقيق |
|
JAN2N6990 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN | تحقيق |
|
JAN2N6988 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A | تحقيق |
|
JAN2N6849U | Microsemi | MOSFET P-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N7224U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | تحقيق |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | تحقيق |
|
JAN2N706 | Microsemi | TRANS NPN 15V 10MA | تحقيق |
|
JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N7224 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
JAN2N6798U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N720A | Microsemi | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | تحقيق |
|
JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | تحقيق |
|
JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6987 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 | تحقيق |
|
JAN2N6989 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | تحقيق |
|
JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل