JAN2N6849U متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N6849U، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N6849U عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N6849U مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N6849U
- رقم القطعة:
- JAN2N6849U
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET P-CH 18-LCC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 50987 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N6849U.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 18-CLCC |
| اسماء اخرى: | JAN2N6849U-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34.8nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N6849U
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | تحقيق |
|
JAN2N6989 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | تحقيق |
|
JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | تحقيق |
|
JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6987 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 | تحقيق |
|
JAN2N6798 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N706 | Microsemi | TRANS NPN 15V 10MA | تحقيق |
|
JAN2N6796 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6990 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN | تحقيق |
|
JAN2N6798U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | تحقيق |
|
JAN2N6796U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N697 | Microsemi | TRANS NPN 40V | تحقيق |
|
JAN2N6988 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A | تحقيق |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات