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JAN2N6849U
- Modello di prodotti:
- JAN2N6849U
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 18-LCC
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 50987 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN2N6849U.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 18-CLCC |
| Altri nomi: | JAN2N6849U-MIL |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN2N6849U
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | Inchiesta |
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JAN2N6989 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | Inchiesta |
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JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Inchiesta |
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JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Inchiesta |
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JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Inchiesta |
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JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | Inchiesta |
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JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Inchiesta |
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JAN2N6987 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 | Inchiesta |
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JAN2N6798 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Inchiesta |
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JAN2N706 | Microsemi | TRANS NPN 15V 10MA | Inchiesta |
|
JAN2N6796 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Inchiesta |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | Inchiesta |
|
JAN2N6990 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN | Inchiesta |
|
JAN2N6798U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Inchiesta |
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JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | Inchiesta |
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JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | Inchiesta |
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JAN2N6796U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Inchiesta |
|
JAN2N697 | Microsemi | TRANS NPN 40V | Inchiesta |
|
JAN2N6988 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A | Inchiesta |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | Inchiesta |
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