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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > JAN2N6849U
JAN2N6849U
Modèle de produit:
JAN2N6849U
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET P-CH 18-LCC
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
50987 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N6849U.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:18-ULCC (9.14x7.49)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/564
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:18-CLCC
Autres noms:JAN2N6849U-MIL
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:34.8nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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