Το JAN2N697 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN2N697, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN2N697 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN2N697 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN2N697
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN2N697
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 40V
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47661 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN2N697.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 40V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-5 |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/99 |
| Ισχύς - Max: | 600mW |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Αλλα ονόματα: | 1086-16215 1086-16215-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mW Through Hole TO-5 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 10µA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN2N697
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N708 | Microsemi | TRANS NPN 15V | Έρευνα |
|
JAN2N6990 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN | Έρευνα |
|
JAN2N6988 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A | Έρευνα |
|
JAN2N6849U | Microsemi | MOSFET P-CH 18-LCC | Έρευνα |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N7224U | Microsemi | MOSFET N-CH TO-267AB | Έρευνα |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N718A | Microsemi | TRANS NPN 30V 0.5A | Έρευνα |
|
JAN2N706 | Microsemi | TRANS NPN 15V 10MA | Έρευνα |
|
JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | Έρευνα |
|
JAN2N7224 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | Έρευνα |
|
JAN2N6798U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Έρευνα |
|
JAN2N720A | Microsemi | TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 | Έρευνα |
|
JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | Έρευνα |
|
JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Έρευνα |
|
JAN2N6987 | Microsemi | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 | Έρευνα |
|
JAN2N6989 | Microsemi | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | Έρευνα |
|
JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | Έρευνα |
|
JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο