JAN2N6798U พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JAN2N6798U เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JAN2N6798U ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JAN2N6798U ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
JAN2N6798U
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- JAN2N6798U
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 18-LCC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28530 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- JAN2N6798U.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 420 mOhm @ 5.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 18-CLCC |
| ชื่ออื่น: | JAN2N6798U-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 42.07nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JAN2N6798U
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6790 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6800U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6788U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6790U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6802 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6796 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6800 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6782U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6784U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N697 | Microsemi | TRANS NPN 40V | การสอบสวน |
|
JAN2N6788 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6849U | Microsemi | MOSFET P-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6798 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6849 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | การสอบสวน |
|
JAN2N6804 | Microsemi | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | การสอบสวน |
|
JAN2N6796U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6901 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF | การสอบสวน |
|
JAN2N6898 | Microsemi | MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 | การสอบสวน |
|
JAN2N6802U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | การสอบสวน |
|
JAN2N6784 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด