SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3
Тип продуктов:
SIZ730DT-T1-GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
28078 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
SIZ730DT-T1-GE3.pdf

Введение

SIZ730DT-T1-GE3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SIZ730DT-T1-GE3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIZ730DT-T1-GE3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SIZ730DT-T1-GE3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства:6-PowerPair™
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 15A, 10V
Мощность - Макс:27W, 48W
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:6-PowerPair™
Другие названия:SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DTT1GE3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:830pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:24nC @ 10V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Характеристика:Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS):30V
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:16A, 35A
Номер базового номера:SIZ730
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости