SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3
Artikelnummer:
SIZ730DT-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
28078 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SIZ730DT-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:6-PowerPair™
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max:27W, 48W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-PowerPair™
Andere Namen:SIZ730DT-T1-GE3TR
SIZ730DTT1GE3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A, 35A
Basisteilenummer:SIZ730
Email:[email protected]

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