Το SIZ730DT-T1-GE3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIZ730DT-T1-GE3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIZ730DT-T1-GE3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIZ730DT-T1-GE3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIZ730DT-T1-GE3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIZ730DT-T1-GE3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28078 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIZ730DT-T1-GE3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-PowerPair™ |
| Σειρά: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 27W, 48W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-PowerPair™ |
| Αλλα ονόματα: | SIZ730DT-T1-GE3TR SIZ730DTT1GE3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Logic Level Gate |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 16A, 35A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | SIZ730 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIZ730DT-T1-GE3
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS