SIZ730DT-T1-GE3은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 SIZ730DT-T1-GE3의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 SIZ730DT-T1-GE3에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 SIZ730DT-T1-GE3을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
SIZ730DT-T1-GE3
- 제품 모델:
- SIZ730DT-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 28078 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SIZ730DT-T1-GE3.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.2V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지: | 6-PowerPair™ |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
| 전력 - 최대: | 27W, 48W |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 6-PowerPair™ |
| 다른 이름들: | SIZ730DT-T1-GE3TR SIZ730DTT1GE3 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 830pF @ 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| FET 유형: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
| 상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 16A, 35A |
| 기본 부품 번호: | SIZ730 |
| Email: | [email protected] |
SIZ730DT-T1-GE3에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상
- Ruisa는 새로운 RA0 시리즈 Ultra -Low Power Entry -Level MCU를 출시했습니다.
- Melexis는 완전 통합 인덕터 스위치 칩을 출시합니다
- X-Fab