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RN1964TE85LF
- Modelo do Produto:
- RN1964TE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36432 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RN1964TE85LF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | US6 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes: | RN1964TE85LFCT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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