RN1964TE85LF
RN1964TE85LF
Αριθμός εξαρτήματος:
RN1964TE85LF
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
36432 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RN1964TE85LF.pdf

Εισαγωγή

Το RN1964TE85LF είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RN1964TE85LF, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RN1964TE85LF μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RN1964TE85LF με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:US6
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):47 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):47 kOhms
Ισχύς - Max:200mW
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Αλλα ονόματα:RN1964TE85LFCT
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:250MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):100nA (ICBO)
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις