RN1964TE85LF
RN1964TE85LF
Onderdeel nummer:
RN1964TE85LF
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
36432 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
RN1964TE85LF.pdf

Invoering

RN1964TE85LF is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor RN1964TE85LF, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor RN1964TE85LF per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop RN1964TE85LF met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverancier Device Pakket:US6
Serie:-
Weerstand - emitterbasis (R2):47 kOhms
Weerstand - basis (R1):47 kOhms
Vermogen - Max:200mW
Packaging:Cut Tape (CT)
Verpakking / doos:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere namen:RN1964TE85LFCT
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition:250MHz
gedetailleerde beschrijving:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments