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RN1964TE85LF
- Número de pieza:
- RN1964TE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 36432 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RN1964TE85LF.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | US6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | RN1964TE85LFCT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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