NTQD6866R2G
Modelo do Produto:
NTQD6866R2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45686 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTQD6866R2G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power - Max:940mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:NTQD6866R2GOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.7A
Email:[email protected]

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