NTQD6866R2G
Modello di prodotti:
NTQD6866R2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
45686 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTQD6866R2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:32 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Potenza - Max:940mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:NTQD6866R2GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A
Email:[email protected]

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