NTQD6866R2G
Número de pieza:
NTQD6866R2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
45686 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTQD6866R2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-TSSOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:32 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Potencia - Max:940mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:NTQD6866R2GOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:22nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.7A 940mW Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A
Email:[email protected]

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