NTQS6463R2
Modelo do Produto:
NTQS6463R2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
27394 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTQS6463R2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):930mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:NTQS6463R2OS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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